Stacking‐Fault Energies of GaAs
Stacking‐Fault Energies of GaAs
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DOI：
10.1002/pssa.2211360104
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发表时间：
1993-03
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
D. Gerthsen;C. B. Carter
中科院分区：
文献类型：
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作者：
D. Gerthsen;C. B. Carter
透射电子显微镜用于确定 n-、si- 和 p-GaAs 中扩展位错的解离宽度。比较了高分辨率透射电子显微镜 (HRTEM) 和弱束技术 (WB) 获得的结果。讨论了WB和HRTEM结果差异的原因及其对堆垛层错能测定的影响。将结果与之前的研究进行了比较，尽管堆垛层错能是一种固有的材料特性，但结果显示出广泛的分散性。许多参数，例如用于确定的缺陷、部分位错核心的定位以及材料的电特性被认为可以解释这些差异。 Die Aufspaltung von Versetzungen in n-, si- and p-GaAs Wird mittels Elektronenmikroskopie (Hochauflosungs- und Weak-Beam-Abbildung) undersucht. Unterschiedliche Ergebnisse aus beiden Methoden und ihr Einflus auf die Bestimmung der Stapelfehlerenergie werden erortert。 Der Vergleich mit fruheren Arbeiten ergibt eine weite Streuung der Ergebnisse, obwohl die Stapelfehlerenergie eine Materialkonstante ist。 Einfluusse unterschiedlicher Faktoren，z。 B. der Typ des untersuchten Defektes, die Defekterzeugung, die Delokalisierung des Kerns der Partialversetzungen und elektrische Eigenschaften der Versetzungen werden betrachtet, um die Abweichungen zu erklaren.
Transmission electron microscopy is used to determine the dissociation width of extended dislocations in n-, si-, and p-GaAs. Results obtained by high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM) and the weak-beam technique (WB) are compared. Reasons for the differences between the results obtained from WB and HRTEM and their influence on the determination of the stacking-fault energy are discussed. The results are compared with previous investigations, which show a wide scatter of results despite the fact, that the stacking-fault energy is an intrinsic material property. A number of parameters, such as the defect used for the determination, localization of the partial-dislocation cores and the electrical characteristics of the material are considered to explain the discrepancies. Die Aufspaltung von Versetzungen in n-, si- and p-GaAs wird mittels Elektronenmikroskopie (Hochauflosungs- und weak-beam-Abbildung) untersucht. Unterschiedliche Ergebnisse aus beiden Methoden und ihr Einflus auf die Bestimmung der Stapelfehlerenergie werden erortert. Der Vergleich mit fruheren Arbeiten ergibt eine weite Streuung der Ergebnisse, obwohl die Stapelfehlerenergie eine Materialkonstante ist. Einflusse unterschiedlicher Faktoren, z. B. der Typ des untersuchten Defektes, die Defekterzeugung, die Delokalisierung des Kerns der Partialversetzungen und elektrische Eigenschaften der Versetzungen werden betrachtet, um die Abweichungen zu erklaren.