IDEAL HYDROGEN TERMINATION OF THE SI-(111) SURFACE
IDEAL HYDROGEN TERMINATION OF THE SI-(111) SURFACE
复制标题
DOI：
10.1063/1.102728
复制
发表时间：
1990-02-12
影响因子：
4
通讯作者：
RAGHAVACHARI, K
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
HIGASHI, GS;CHABAL, YJ;RAGHAVACHARI, K
