Nenlinear infrared photoconductivity in Ge doped with As or Zn

Nenlinear infrared photoconductivity in Ge doped with As or Zn
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掺杂 As 或 Zn 的 Ge 的非线性红外光电导

DOI:
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发表时间:
2006
期刊:
Physica B 376-377
影响因子:
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通讯作者:
K.Fujii
K.Fujii
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
H.Nakata;A.Yokoyama;N.Tsubouchi;K.Fujii

文献摘要

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