Selective-Area Growth of Ge Nanowires on SiO2-Masked Si (111) Substrates by Vaper-Liquid-Solid Method
Selective-Area Growth of Ge Nanowires on SiO2-Masked Si (111) Substrates by Vaper-Liquid-Solid Method
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气-液-固法在 SiO2 掩蔽的 Si (111) 衬底上选择性区域生长 Ge 纳米线
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and S. Hara
中科院分区：
文献类型：
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作者：
D. Goto;M. Makino;R. Horiguchi;W. Jevasuwan;N. Fukata;and S. Hara
