Fabrication of body-tied FinFETs (Omega MOSFETs) using bulk Si wafers-猫眼课题宝

DOI：

10.1109/vlsit.2003.1221122

发表时间：

2003-06

期刊：

2003 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers (IEEE Cat. No.03CH37407)

影响因子：

通讯作者：

中科院分区：

其他

文献类型：

作者：

T. Park;S. Choi;D. Lee;Jae-yoon Yoo;B. Lee;Jungsu Kim;Choong-ho Lee;K. Chi;S. Hong;S. J. Hynn;Y. Shin;J. Han;I.S. Park;U. Chung;J. Moon;E. Yoon;Jang-Sik Lee

首次制备了纳米级体束缚FinFET。它们具有30 nm的鳍顶部宽度、61 nm的鳍底部宽度、99 nm的鳍高度和60 nm的栅极长度。这种Omega MOSFET显示出优异的晶体管特性，例如非常低的亚阈值摆幅、24 mV/V的漏极感应势垒降低（DIBL）、几乎没有体偏置效应、以及比平面型DRAM单元晶体管低几个数量级的I/sub_D//。

Nano scale body-tied FinFETs have been firstly fabricated. They have fin top width of 30 nm, fin bottom width of 61 nm, fin height of 99 nm, and gate length of 60 nm. This Omega MOSFET shows excellent transistor characteristics, such as very low subthreshold swing, Drain Induced Barrier Lowering (DIBL) of 24 mV/V, almost no body bias effect, and orders of magnitude lower I/sub SUB//I/sub D/ than planar type DRAM cell transistors.

Fabrication of body-tied FinFETs (Omega MOSFETs) using bulk Si wafers

文献摘要

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