MOS Interface Properties and MOSFET Performance on 4H-SiC{0001} and Non-Basal Faces Processed by N 2 O Oxidation
MOS Interface Properties and MOSFET Performance on 4H-SiC{0001} and Non-Basal Faces Processed by N 2 O Oxidation
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经过 N 2 O 氧化处理的 4H-SiC{0001} 和非基面的 MOS 界面特性和 MOSFET 性能
DOI：
10.1557/proc-815-j8.2
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
H. Matsunami
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T. Kimoto;Y. Kanzaki;M. Noborio;H. Kawano;H. Matsunami
4H-SiC(0001)、(000-1)和(11-20)在1300℃被N2O直接氧化，并对其MOS界面进行了表征。在1150°C下，与传统的湿氧氧化相比，在任何面上进行N2O氧化都显著降低了界面态密度。在低掺杂4H-SiC(0001)、(000-1)和(11-20)面上制作的平面n沟道MOSFET的有效沟道迁移率分别为26、43和78cm2/V。随着p体掺杂浓度的增加，样品的迁移率降低。SIMS分析显示，在MOS界面附近有明显的氮原子堆积。利用N2O氧化可以减小界面SiCxOy层的厚度。讨论了界面结构对晶面的依赖关系。
4H-SiC(0001), (000-1), and (11-20) have been directly oxidized by N 2 O at 1300°C, and the MOS interfaces have been characterized. The interface state density has been significantly reduced by N 2 O oxidation on any face, compared to conventional wet O 2 oxidation at 1150°C. Planar n-channel MOSFETs fabricated on lightly-doped 4H-SiC(0001), (000-1) and (11-20) faces have shown an effective channel mobility of 26, 43, and 78 cm 2 /Vs, respectively. The mobility decreased with increasing the doping concentration of p-body. SIMS analyses have revealed a clear pile-up of nitrogen atoms near the MOS interface. The thickness of interfacial SiC x O y layer can be decreased by utilizing N 2 O oxidation. The crystal face dependence of interface structure is discussed.
T.Kawai：“生物陶瓷，第 15 卷（关键工程材料第 240-242 卷），Besim Ben-Nissan、Doron Sher 和 William Walsh 编辑”Trans Tech Publications Ltd.. 4 (2002)
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