pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜正孔リーク電流伝導機構の解析
pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜正孔リーク電流伝導機構の解析
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p沟道4H-SiC MOSFET氧化膜空穴漏电流传导机制分析
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
矢野裕司
中科院分区：
文献类型：
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作者：
根本宏樹;岡本大;張旭芳;染谷満;岡本光央;畠山哲夫;原田信介;岩室憲幸;矢野裕司
