Study on ECR Dry Etching and Selective MBE Growth of AlGaN/GaN for Fabrication of Quantum Nanostructures on GaN (0001) Substrates
Study on ECR Dry Etching and Selective MBE Growth of AlGaN/GaN for Fabrication of Quantum Nanostructures on GaN (0001) Substrates
复制标题
ECR 干法刻蚀和 AlGaN/GaN 选择性 MBE 生长在 GaN (0001) 衬底上制备量子纳米结构的研究
DOI：
--
复制
发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
H.Hasegawa
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T.Oikawa;F.Ishikawa;T.Sato;T.Hashizume;H.Hasegawa
