AES analysis of nitridation of Si(100) by 2–10 keV N+2 ion beams
AES analysis of nitridation of Si(100) by 2–10 keV N+2 ion beams
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2–10 keV N+2 离子束氮化 Si(100) 的 AES 分析
DOI：
10.1016/s0169-4332(97)80200-0
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发表时间：
1997
影响因子：
6.7
通讯作者：
K. L. Tan
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. S. Pan;A. Wee;C. Huan;H. Tan;K. L. Tan
