基于0.13μm SOI CMOS工艺的高性能LDO设计
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DOI：
10.3969/j.issn.1674-6236.2018.19.036
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
杨苹
中科院分区：
文献类型：
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作者：
李雅淑;高超嵩;孙向明;杨苹
