Al濃度10^20 cm^-3台前半でのp型4H-SiCエピ膜の電気抵抗率の温度依存性とAl濃度との関係
Al濃度10^20 cm^-3台前半でのp型4H-SiCエピ膜の電気抵抗率の温度依存性とAl濃度との関係
复制标题
Al浓度在10^20 cm^-3范围内p型4H-SiC外延膜电阻率的温度依赖性及其与Al浓度的关系
DOI：
--
复制
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
奥村 元
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
近藤 佑樹;竹下 明伸;今村 辰哉;高野 晃大;奥田 和也;日高 淳輝;松浦 秀治;紀 世陽;江藤 数馬;児島 一聡;加藤 智久;吉田 貞史;奥村 元
