Pentacene-based organic floating-gate memory utilizing N-doped LaB6 metal and LaBxNy insulating layers for flexible device applications
Pentacene-based organic floating-gate memory utilizing N-doped LaB6 metal and LaBxNy insulating layers for flexible device applications
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基于并五苯的有机浮栅存储器，采用 N 掺杂 LaB6 金属和 LaBxNy 绝缘层，用于柔性器件应用
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Eun Ki Hong
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Shun-ichiro Ohmi;Kyung Eun Park;Hideki Kamata;and Eun Ki Hong
