An enhanced MOSFET threshold voltage model for the 6-300 K temperature range
An enhanced MOSFET threshold voltage model for the 6-300 K temperature range
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适用于 6-300 K 温度范围的增强型 MOSFET 阈值电压模型
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
P. Leong
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Cong Nguyen Dao;A. E. Kass;M. Azghadi;C. Jin;Jonathan B. Scott;P. Leong
