Si doping in MOCVD grown (010) β-(Al x Ga 1−x ) 2 O 3 thin films
Si doping in MOCVD grown (010) β-(Al x Ga 1−x ) 2 O 3 thin films
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MOCVD 生长 (010) β-(Al x Ga 1âx ) 2 O 3 薄膜中的 Si 掺杂
DOI：
10.1063/5.0084062
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发表时间：
2022
影响因子：
3.2
通讯作者：
Rajan, Siddharth
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Bhuiyan, A. F.;Feng, Zixuan;Meng, Lingyu;Fiedler, Andreas;Huang, Hsien-Lien;Neal, Adam T.;Steinbrunner, Erich;Mou, Shin;Hwang, Jinwoo;Rajan, Siddharth
