GROWTH OF SILICON BY LIQUID PHASE EPITAXY AT LOW TEMPERATURE: APPLICATION TO THIN FILM SOLAR CELLS
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低温液相外延生长硅：在薄膜太阳能电池中的应用
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A. Pisch
中科院分区：
文献类型：
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作者：
F. Abdo;A. Fave;H. Omari;M. Lemiti;C. Bernard;A. Pisch
在低温（800°C）下通过液相外延（LPE）生长硅薄层可能是制造低成本光伏电池的一项有吸引力的技术。使用两浴技术，可以去除自然氧化物，然后获得呈现 p/p+ 结构的均匀层。 12 µm 厚的层可实现 19 mA/cm² 的短路电流和 4.7% 的转换效率。
Growth of silicon thin layer by Liquid Phase Epitaxy (LPE) at low temperature (800 °C) can be an attractive technique to fabricate low cost photovoltaic cells. Using a two baths technique, one can remove native oxide and then obtain homogeneous layers presenting a p/p+ structure. Short circuit current of 19 mA/cm² and conversion efficiency of 4.7% are obtained with 12 µm thick layer.