Radio-photoluminescence phenomenon in non-doped CaF2 ceramic
Radio-photoluminescence phenomenon in non-doped CaF2 ceramic
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无掺杂 CaF2 陶瓷中的射电光致发光现象
DOI：
10.1016/j.matlet.2020.127688
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发表时间：
2020
影响因子：
3
通讯作者：
Yanagida Takayuki
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Kato Takumi;Nakauchi Daisuke;Kawaguchi Noriaki;Yanagida Takayuki
我们发现在X射线辐照下，CaF2陶瓷出现了射电光致发光(RPL)现象。在非掺杂CaF2陶瓷中观察到的RPL是在370和560 nm激发下，在660 nm处，在390和610 nm激发下，在760 nm处出现峰值的光致发光。在660 nm和760 nm处的发射带分别是由F2+和(F2+)激子引起的。
We discovered that a CaF2ceramic showed a radio-photoluminescence (RPL) phenomenon by X-ray irradiation. The RPL observed in the non-doped CaF2ceramic as a generation of photoluminescence (PL) emission bands peaking at 660 nm under excitations at 370 and 560 nm, and 760 nm under excitations at 390 and 610 nm. The emission bands at 660 and 760 nm are due to F2+and (F2+)Acenters, respectively.
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