Advanced breakdown characteristics of AlGaN/GaN HEMTs fabricated on free-standing GaN substrates
Advanced breakdown characteristics of AlGaN/GaN HEMTs fabricated on free-standing GaN substrates
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在独立式 GaN 衬底上制造的 AlGaN/GaN HEMT 的高级击穿特性
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Kuzuhara
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yoshiaki Kanamori;Daisuke Ema;and Kazuhiro Hane;山本文子;M. Kuzuhara
