Si wafers having one-and two- dimensionally curved (111) planes examined by X-ray diffraction
Si wafers having one-and two- dimensionally curved (111) planes examined by X-ray diffraction
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通过 X 射线衍射检查具有一维和二维弯曲 (111) 平面的硅晶片
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S.Ochiai
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H.Okuda;K.Nakajima;K.Fujiwara;S.Ochiai
