Vertical-coupled SiGe double quantum dots

Vertical-coupled SiGe double quantum dots
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DOI：
10.1049/el.2010.0494
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发表时间：
2010-06
期刊：
Electronics Letters
影响因子：
1.1
通讯作者：
Chuanbo Li;G. Yamahata;J. Xia;H. Mizuta;S. Oda;Y. Shiraki
Chuanbo Li;G. Yamahata;J. Xia;H. Mizuta;S. Oda;Y. Shiraki
中科院分区：
工程技术4区
文献类型：
--
作者：
Chuanbo Li;G. Yamahata;J. Xia;H. Mizuta;S. Oda;Y. Shiraki

文献摘要

被引文献

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介绍了垂直耦合SiGe双量子点的制备和低温空穴输运特性。通过调制背栅电压和侧栅电压，观察到相干耦合。
The fabrication of vertical-coupled SiGe double quantum dots and hole transport characteristics at low temperature are presented. By modulating back and side gate voltages, coherent coupling is observed.