High-Q Nanocavity-Based Raman Laser Fabricated on a (100) SOI Substrate with a 45-Degree-Rotated Top Silicon Layer
High-Q Nanocavity-Based Raman Laser Fabricated on a (100) SOI Substrate with a 45-Degree-Rotated Top Silicon Layer
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在具有 45 度旋转顶部硅层的 (100) SOI 基板上制造的基于高 Q 纳米腔的拉曼激光器
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Yasushi Takahashi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yukiko Yamauchi;Makoto Okano;Susumu Noda;Yasushi Takahashi
