Ultralow-Threshold Laser Realized in Zinc Oxide
Ultralow-Threshold Laser Realized in Zinc Oxide
复制标题
在氧化锌中实现的超低阈值激光
DOI：
10.1002/adma.200802907
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发表时间：
2009-04-27
影响因子：
29.4
通讯作者：
Tong, Zi-Kang
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Zhu, Hai;Shan, Chong-Xin;Tong, Zi-Kang
通过引入MgO中间层，在ZnO/GaN异质结中实现了激光作用。MgO层可以将电子限制在ZnO层中，而空穴可以穿过MgO层并从p-GaN层进入n-ZnO层。激光作用的阈值低至0.8 mA。
Lasing action is realized in a ZnO/GaN heterojunction by employing a MgO interlayer. The MgO layer can confine electrons in the ZnO layer, while holes can pass through the MgO layer and enter into the n-ZnO layer from the p-GaN layer. The threshold of the lasing action is as low as 0.8 mA.