A. Wakahara, H. Saiki, J. Genba, and A. Yoshida: "Low-temperature growth of GaN by remote-plasma enhanced organometallic vapor phase epitaxy"10th Int. Conf. on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (June 5-9, Sapporo, 2000) P1-37. Workbook of the 10th Int. Con
A. Wakahara, H. Saiki, J. Genba, and A. Yoshida: "Low-temperature growth of GaN by remote-plasma enhanced organometallic vapor phase epitaxy"10th Int. Conf. on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (June 5-9, Sapporo, 2000) P1-37. Workbook of the 10th Int. Con
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A. Wakahara、H. Saiki、J. Genba 和 A. Yoshida：“通过远程等离子体增强有机金属气相外延实现 GaN 的低温生长”10th Int。
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