Uniformity investigation in 3C-SiC epitaxial layers grown on Si substrates by horizontal hot-wall CVD
Uniformity investigation in 3C-SiC epitaxial layers grown on Si substrates by horizontal hot-wall CVD
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通过水平热壁 CVD 在硅衬底上生长的 3C-SiC 外延层的均匀性研究
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Li, Jinmin
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Liu, Xingfang;Zhao, Yongmei;Wang, Lei;Luo, Muchang;Zeng, Yiping;Sun, Guosheng;Li, Jiaye;Zhao, Wanshun;Li, Jinmin
