多層SiCN絶縁膜によるAlGaN/GaN HEMT用傾斜フィールドプレートの形成
多層SiCN絶縁膜によるAlGaN/GaN HEMT用傾斜フィールドプレートの形成
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使用多层 SiCN 绝缘膜形成用于 AlGaN/GaN HEMT 的倾斜场板
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
小林健悟，吉田智洋，畠山信也，尾辻泰一，末光哲也
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S.Sato;S.Kumagai;R.Sugita;小林健悟，吉田智洋，畠山信也，尾辻泰一，末光哲也
