高効率深紫外発光素子の実現にむけたAlGaN 系半導体における非輻射再結合経路の同定
高効率深紫外発光素子の実現にむけたAlGaN 系半導体における非輻射再結合経路の同定
复制标题
识别 AlGaN 基半导体中的非辐射复合路径，以实现高效深紫外发光器件
DOI：
--
复制
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
川上 養一
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
市川 修平;船戸 充;岩崎 洋介;川上 養一
