Unusual behaviours and impurity effects in the noncentrosymmetric superconductor CePt3Si
Unusual behaviours and impurity effects in the noncentrosymmetric superconductor CePt3Si
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非中心对称超导体 CePt3Si 的异常行为和杂质效应
DOI：
10.1088/1367-2630/11/5/055054
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发表时间：
2009
影响因子：
3.3
通讯作者：
Y. Ōnuki
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
I. Bonalde;R. Ribeiro;W. Bramer;C. Rojas;E. Bauer;A. Prokofiev;Y. Haga;T. Yasuda;Y. Ōnuki
我们报告了一项研究，其中通过磁穿透深度的温度依赖性分析了缺陷/杂质、生长过程、非化学计量和杂质相的存在对非中心对称 CePt3Si 超导性能的影响。我们发现，与在具有线节点的非常规中心对称超导体中观察到的情况相比，穿透深度（表示该材料中的线节点）的线性低温响应在样品质量方面是稳健的。我们讨论了表明超导转变的广泛性可能是固有的证据，尽管并不意味着第二次超导转变的存在。在我们的测量中，超导转变温度系统地发生在约0.75 K，与电阻率和交流磁化率数据一致，但与Tc约为0.5 K的比热、导热率和NMR数据相冲突。随机缺陷不会改变具有线节点的重费米子CePt3Si中渗透深度的线性低温依赖性，就像在具有线节点的非常规中心对称超导体中一样。
We report a study in which the effect of defects/impurities, growth process, off-stoichiometry and presence of impurity phases on the superconducting properties of noncentrosymmetric CePt3Si is analysed by means of the temperature dependence of the magnetic penetration depth. We found that the linear low-temperature response of the penetration depth—indicative of line nodes in this material—is robust regarding sample quality, in contrast to what is observed in unconventional centrosymmetric superconductors with line nodes. We discuss evidence suggesting that the broadness of the superconducting transition may be intrinsic, though not implying the existence of a second superconducting transition. The superconducting transition temperature systematically occurs at about 0.75 K in our measurements, in agreement with resistivity and ac magnetic susceptibility data but in conflict with specific heat, thermal conductivity and NMR data in which Tc is about 0.5 K. Random defects do not change the linear low-temperature dependence of the penetration depth in the heavy-fermion CePt3Si with line nodes, as they do in unconventional centrosymmetric superconductors with line nodes.
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重费米子超导体CeRhSi_3在压力下的交流磁化率
DOI：
--
发表时间：
2011
期刊：
Journal of Physical Society of Japan
影响因子：
--
作者：
T.Sugawara;et al
通讯作者：
et al
影响因子：
1.7
作者：
Bauer, Ernst;Kaldarar, Heinich;Bonalde, Ismardo
通讯作者：
Bonalde, Ismardo
影响因子：
1.7
作者：
Takashi Yasuda;H. Shishido;T. Ueda;Shin Hashimoto;R. Settai;T. Takeuchi;Tatsuma D. Matsuda;Y. Haga;Y. Ōnuki
通讯作者：
Takashi Yasuda;H. Shishido;T. Ueda;Shin Hashimoto;R. Settai;T. Takeuchi;Tatsuma D. Matsuda;Y. Haga;Y. Ōnuki
通过磁化率测量探测 CePt_3Si 的双超导转变
DOI：
--
发表时间：
2006
期刊：
J. Phys. Soc. Jpn Vol.75
影响因子：
--
作者：
Keisuke;Nakatsuji
通讯作者：
Nakatsuji