Void Free at Interface of the SiC Film and Si Substrate
Void Free at Interface of the SiC Film and Si Substrate
复制标题
SiC 薄膜和 Si 衬底界面处无空隙
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Hiroyasu Hagino
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yong Sun;Tatsuro Miyasato;Koichiro Masuda;Toyotsugu Enokida;Hiroyasu Hagino
