In situ photoemission study on initial growth of HfO2 films on Si(100)
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DOI：
10.1016/j.susc.2005.02.040
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发表时间：
2005-05
期刊：
影响因子：
1.9
通讯作者：
R. Xu;Z. Yan;S. Chen;Yongliang Fan;X. Ding;Zuimin Jiang;Zheshen Li
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R. Xu;Z. Yan;S. Chen;Yongliang Fan;X. Ding;Zuimin Jiang;Zheshen Li
