Effect of sputtering pressure and annealing temperature on the properties of indium tin oxide thin films
Effect of sputtering pressure and annealing temperature on the properties of indium tin oxide thin films
复制标题
DOI：
10.1016/j.mseb.2006.08.058
复制
发表时间：
2007-01
影响因子：
3.6
通讯作者：
A. Gheidari;F. Behafarid;G. Kavei;M. Kazemzad
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
A. Gheidari;F. Behafarid;G. Kavei;M. Kazemzad
