PFC-Free Dry Etching Method for Si Using Narrow-Gap VHF Plasma at Subatmospheric Pressure
PFC-Free Dry Etching Method for Si Using Narrow-Gap VHF Plasma at Subatmospheric Pressure
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使用窄间隙 VHF 等离子体在低于大气压下进行硅的无 PFC 干法蚀刻方法
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Kiyoshi Yasutake
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Hiromasa Ohmi;azuya Kishimoto;Hiroaki Kakiuchi;Kiyoshi Yasutake
