Distribution of bismuth atoms in epitaxial GaAsBi
Distribution of bismuth atoms in epitaxial GaAsBi
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DOI：
10.1063/1.3562376
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发表时间：
2011-03-07
影响因子：
4
通讯作者：
Molina, S. I.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Sales, D. L.;Guerrero, E.;Molina, S. I.
用像差校正的Z衬度图像分析了外延GaAs（1-x）Bi-x中Bi原子的分布。原子序数和图像强度之间的关系允许量化Bi原子在该材料中的分布。一个二维的地图提取的Bi原子显示的区域，纳米团簇是可能的，并证明在晶格中的位置作为替代的位置Bi。Bi原子的分布不同于材料中Bi原子的随机空间图案。(C)2011年美国物理学会。[doi：10.1063/1.3562376]
The distribution of Bi atoms in epitaxial GaAs(1-x) Bi-x is analyzed through aberration-corrected Z-contrast images. The relation between the atomic number and the intensity of the images allows quantifying the distribution of Bi atoms in this material. A bidimensional map of Bi atoms is extracted showing areas where nanoclustering is possible and evidencing the location of Bi at As-substitutional positions in the lattice. The distribution of Bi atoms differs from a random spatial pattern of Bi atoms in the material. (C) 2011 American Institute of Physics. [doi:10.1063/1.3562376]