Design and fabrication of terahertz quantum cascade structure based on III-Nitride semiconductors
Design and fabrication of terahertz quantum cascade structure based on III-Nitride semiconductors
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基于III族氮化物半导体的太赫兹量子级联结构的设计与制备
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
W. Terashima and H. Hirayama
中科院分区：
文献类型：
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作者：
N. Konishi;T. Tanaka;T. Fujibayashi;M. Okubo;W. Terashima and H. Hirayama
