Simulated Characteristics of Deep-submicrometer Recessed Channel epi-MOSFETs

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深亚微米凹进沟道外延 MOSFET 的仿真特性

DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
Research Reports on Information Science and Electrical Engineering of Kyushu University Vol.9, No.2
影响因子：
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通讯作者：
Yukinori Kuroki
Yukinori Kuroki
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
Rohana Perera;Akihiro Ikeda;Yukinori Kuroki

文献摘要

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