ウィグナーモンテカルロ法を用いた極微細III-V MOSFETの量子輸送解析
ウィグナーモンテカルロ法を用いた極微細III-V MOSFETの量子輸送解析
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使用维格纳蒙特卡罗方法对超细 III-V MOSFET 进行量子输运分析
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
大森正規，木場隼介，前川容佑，土屋英昭，鎌倉良成，森伸也，小川真人
中科院分区：
文献类型：
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作者：
結城亨;堀田昌志;羽野光夫;粟井郁雄;大森正規，木場隼介，前川容佑，土屋英昭，鎌倉良成，森伸也，小川真人
