極薄SiO_2/Si基板上に形成したエピタキシャルGaSb量子ドットの発光特性評価
極薄SiO_2/Si基板上に形成したエピタキシャルGaSb量子ドットの発光特性評価
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超薄SiO_2/Si衬底上外延GaSb量子点发光性能评价
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
市川昌和
中科院分区：
文献类型：
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作者：
中村芳明;杉本智洋;市川昌和
