Soft Error Sensitivities in 90 nm Bulk CMOS SRAMs
Soft Error Sensitivities in 90 nm Bulk CMOS SRAMs
复制标题
DOI：
10.1109/redw.2009.5336302
复制
发表时间：
2009-07
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
R. Lawrence;J. Ross;N. Haddad;R. Reed;D. R. Albrecht
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
R. Lawrence;J. Ross;N. Haddad;R. Reed;D. R. Albrecht
在90nm外延体互补金属氧化物半导体（CMOS）静态随机存取存储器（SRAM）中，单事件扰动（SEU）对低能量质子的灵敏度提高了5-6个数量级。讨论了工艺和电池设计的改进。
Enhanced single event upset (SEU) sensitivity to low energy protons, as much as 5-6 orders of ten, has been observed in 90 nm epitaxial-bulk complementary metal oxide semiconductor (CMOS) static random access memories (SRAM). Enhancements to process and cell design are discussed.