Partially filled intermediate band of Cr-doped GaN films
Partially filled intermediate band of Cr-doped GaN films
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部分填充中能带的Cr掺杂GaN薄膜
DOI：
10.1063/1.4717716
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S. Sonoda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
B.Kim;T.Tanikawa;Y.Honda;M.Yamaguchi;N.Sawaki;S. Sonoda
