Structural studies of semiconductors at very high pressures
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DOI：
10.1016/0168-583x(95)00277-4
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发表时间：
1995-05
影响因子：
1.3
通讯作者：
J. R. Maclean;P. Hatton;R. Piltz;J. Crain;R. Cernik
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. R. Maclean;P. Hatton;R. Piltz;J. Crain;R. Cernik
