Influence of trimethylaluminum predoses on the growth morphology, film-substrate interface, and microstructure of MOCVD-grown AlN on (1 1 1)Si
Influence of trimethylaluminum predoses on the growth morphology, film-substrate interface, and microstructure of MOCVD-grown AlN on (1 1 1)Si
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DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2019.01.040
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发表时间：
2019-04
影响因子：
1.8
通讯作者：
A. Lange;S. Mahajan
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Lange;S. Mahajan
