Guest displacement in silicon clathrates
Guest displacement in silicon clathrates
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硅包合物中的客体位移
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Pouchard
中科院分区：
文献类型：
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作者：
F. Tournus;B. Masenelli;P. Mélinon;D. Connétable;X. Blase;A. Flank;P. Lagarde;C. Cros;M. Pouchard
我们从理论上和实验上研究了掺杂硅包合物II Na x Si 3 4 的结构。我们发现，与已发表的作品相反，钠原子在 Si 2 8 笼内不保持 T d 对称性，而是以 I A 的方式远离笼中心。这种位移与相邻Si 2 8 笼中的钠原子的位移一起导致钠原子的“二聚化”。因此，必须重新审视 Rietveld 对 X 射线衍射光谱以及传输、振动和电子特性的改进。
We study both theoretically and experimentally the structure of the doped silicon clathrate II Na x Si 3 4 . We find that contrary to published works, the sodium atoms do not retain the T d symmetry inside the Si 2 8 cages and move about I A away from the center of the cage. This displacement, in conjunction with that of a sodium atom in an adjacent Si 2 8 cage, leads to a "dimerization" of sodium atoms. As a consequence, Rietveld refinements of x-ray diffraction spectra and transport, vibrational, and electronic properties must be revisited.