Fundamental oscillations at～900GHz with low bias voltages in RTDs with spike-doped structures
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具有尖峰掺杂结构的 RTD 中具有低偏置电压的 ~900GHz 基本振荡
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H.Yokoyama
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S.Suzuki;K.Sawada;A.Teranishi;M.Asada;H.Sugiyama;H.Yokoyama
