Hot-mesh CVD法によるSiC/Si基板上へAlNバッファー層を用いたGaN成長
Hot-mesh CVD法によるSiC/Si基板上へAlNバッファー層を用いたGaN成長
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通过热网 CVD 方法在 SiC/Si 衬底上使用 AlN 缓冲层生长 GaN
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
赤羽正志
中科院分区：
文献类型：
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作者：
深田祐介;田村和之;黒木雄一郎;末光眞希;伊藤隆;成田克;遠藤哲郎;中澤日出樹;高田雅介;安井寛治;赤羽正志
