Superior subthreshold slope of gate-all-around (GAA) p-type poly-Si junctionless nanowire transistors with highly suppressed grain boundary defects
Superior subthreshold slope of gate-all-around (GAA) p-type poly-Si junctionless nanowire transistors with highly suppressed grain boundary defects
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具有高度抑制晶界缺陷的环栅 (GAA) p 型多晶硅无结纳米线晶体管的卓越亚阈值斜率
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Toshiro Hiramoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Min-Ju Ahn;Takuya Saraya;Masaharu Kobayashi;and Toshiro Hiramoto
