Heavily-doped SOI with SAM-Based Gate Dielectrics in Application to TMDC FET
Heavily-doped SOI with SAM-Based Gate Dielectrics in Application to TMDC FET
复制标题
具有基于 SAM 的栅极电介质的重掺杂 SOI 在 TMDC FET 中的应用
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Yukio Kawano
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Ryo Ikoma;Takamasa Kawanago;Yukio Kawano
