Structural and optical characterization of AlGaN multiple quantum wells grown on semipolar (20-21) bulk AlN substrate
Structural and optical characterization of AlGaN multiple quantum wells grown on semipolar (20-21) bulk AlN substrate
复制标题
半极性 (20-21) 体 AlN 衬底上生长的 AlGaN 多量子阱的结构和光学表征
DOI：
--
复制
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
N. Johnson
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
T. Wunderer;Zhihong Yang;M. Feneberg;Max Batres;M. Teepe;N. Johnson
通过金属有机气相外延在半极性 (20-21) 体 AlN 衬底上生长具有多量子阱的 AlGaN 异质结构。展示了具有优异异质结构界面的光滑外延表面。通过低温光致发光测量，AlGaN 多量子阱在 λ = 237nm 处发出的光显示出约 35% 的偏振度。
Heterostructures of AlGaN with multiple quantum wells were grown by metal-organic vapor phase epitaxy on semipolar (20-21) bulk AlN substrates. Smooth epitaxial surfaces with excellent heterostructure interfaces were demonstrated. Luminescence from the AlGaN multiple quantum wells emitting at λ = 237 nm show a substantial degree of polarization of about 35% as determined by low-temperature photoluminescence measurements.
m 面蓝宝石上生长的半极性 AlGaN 层的各向异性光学特性
影响因子：
4
作者：
M. Feneberg;M. Winkler;J. Klamser;J. Stellmach;M. Frentrup;S. Ploch;F. Mehnke;T. Wernicke;M. Kneissl;R. Goldhahn
通讯作者：
R. Goldhahn