Time-resolved photoluminescence of InAs quantum dots in a GaAs quantum well
Time-resolved photoluminescence of InAs quantum dots in a GaAs quantum well
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GaAs 量子阱中 InAs 量子点的时间分辨光致发光
DOI：
10.1063/1.1713052
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发表时间：
2004
影响因子：
4
通讯作者：
M. Henini
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
F. Pulizzi;A. Kent;A. Patané;L. Eaves;M. Henini
我们研究了集成在 GaAs/(AlGa)As 量子阱中的 InAs 自组装量子点 (QD) 的时间分辨光致发光发射。我们证明量子阱限制会影响点光致发光的衰减时间。此外，我们利用衰减时间对激发能量和温度的强烈依赖性来揭示量子点中的载流子弛豫机制。
We study the time-resolved photoluminescence emission of InAs self-assembled quantum dots (QDs) incorporated in a GaAs/(AlGa)As quantum well. We show that the quantum well confinement affects the decay time of the dot photoluminescence. In addition, we use the strong dependence of the decay time on excitation energy and temperature to shed light on carrier relaxation mechanisms in QDs.