Electronic states and band gap adjustment of Co-impurity doped epsilon-Ga2O3 and kappa-Ga2O3
Electronic states and band gap adjustment of Co-impurity doped epsilon-Ga2O3 and kappa-Ga2O3
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Co杂质掺杂的epsilon-Ga2O3和kappa-Ga2O3的电子态和带隙调节
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Raebiger
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Yamanaka;K. Shudo;H. Raebiger
