Impact of electron doping on metal-insulator transition of VO2
Impact of electron doping on metal-insulator transition of VO2
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电子掺杂对VO2金属-绝缘体转变的影响
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Keisuke Shibuya
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Shibuya Keisuke;Ishii Kiyo;Atsumi Yuki;Yoshida Tomoya;Sakakibara Youichi;Mori Masahiko;Sawa Akihito;渋谷圭介;Keisuke Shibuya
