PLD法による正方晶(Bi, K)TiO3エピタキシャル膜の作製とポストアニールが強誘電性に与える影響
PLD法による正方晶(Bi, K)TiO3エピタキシャル膜の作製とポストアニールが強誘電性に与える影響
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PLD法制备四方(Bi,K)TiO3外延薄膜及后退火对铁电性的影响
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
舟窪浩
中科院分区：
文献类型：
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作者：
根本祐一;佐藤智也;一ノ瀬大地;清水荘雄;内田寛;木口賢紀;佐藤祐介;山岡和希子;舟窪浩
