M.Yoshita: "Formation of flat monolayer-step-free (110)GaAs surfaces by growth interruption annealing during clearved-edge eptaxial overgrowth"Jpn.J.Appl.Phys Pt.2 Letter. 40. L252-L254 (2001)
M.Yoshita: "Formation of flat monolayer-step-free (110)GaAs surfaces by growth interruption annealing during clearved-edge eptaxial overgrowth"Jpn.J.Appl.Phys Pt.2 Letter. 40. L252-L254 (2001)
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M.Yoshita：“在清除边缘外延过度生长过程中通过生长中断退火形成平坦单层无台阶 (110)GaAs 表面”Jpn.J.Appl.Phys Pt.2 Letter。
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